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TI MOS管与三极管的各自应用特点


1.TI MOS管湖北快3走势图的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。

2。MOS管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此MOS管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。

3.TI MOS管是由多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而MOS管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用MOS管。

4.MOS管在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,β值将减小很多。

5.MOS管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。

6.TI MOS管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。

7.三极管导通电阻大,TI MOS管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现用电器件上,一般都用MOS管做开关来用,他的效率是比较高的。

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