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飞兆MOS管的正确使用方法


飞兆MOS管内部的核心结构是金属、氧化层、半导体电容,这三个部分构成了飞兆MOS管的主体结构,金属部分现在大多采用多晶硅替代,而氧化层主要是二氧化硅材料,硅和多晶硅分别作为基极和栅极分别在氧化层两侧,这样的结构分部刚好组成了一个电容器。

氧化层所起到的作用主要是作为介电质,介电常熟和氧化层的厚度决定了电容值的大小,而多晶硅和硅则作为飞兆MOS管的两个端点。当同时在飞兆MOS管的两端施加一个电压时,整个电容内部的电荷也会随着电压作用发生移动,当一个正电压施加在场效应管的栅极和基极时,电洞浓度会逐渐减小,而电子的浓度会逐渐增大。

当电子浓度逐渐高过电洞浓度时,这一区域就 成为反转层,在飞兆MOS管中,整个部件的操作特性是由电容特性所决定的,此外还需要一个能够提供多数载子的源极和能够接受多数载子的漏极。


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