安森美MOS管按沟道半导体资料的不一样，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来区分，场效应管又可分红耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
     深知终端产品功能越来越强调高能效，故优化了新功率MOSFET的规划、资料及封装，以降低损耗。0.7毫欧(mΩ)的一流导通阻抗(RDSon)功能和3780皮法(pF)的低输入电容保证导电、开关及驱动器等损耗降至最低。
     安森美半导体还深思熟虑，保证这些MOSFET供给较现有器材更优的热功能和低封装阻抗及感抗。