随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。
    的好坏测量：
    第一种方法是使用万用表二极管档测量GD之间的正向、反向阻值，均为无穷大为正常，出现阻值或出现击穿均直接判断MOS管损坏。
    第二种方法是使用万用表二极管档测量GS之间的正向、反向阻值，均为无穷大为正常，出现阻值或出现击穿均直接判断MOS管损坏。
    第三种方法是使用万用表二极管档测量DS之间的正向、反向阻值，其中一次测量阻值无穷大，另一次测量中可测量到DS之间体二极管的阻值(400-500Ω)代表正常。其中DS之间如带肖特基二极管的，则阻值在80-120Ω左右。
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