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TI MOS管选用N沟道还是P沟道


为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道TI MOS管。在典型的功率应用中,当一个TI MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该TI MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道TI MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当TI MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道TI MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使TI MOS管不会失效。就选择TI MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道TI MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

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